❆半导体材料：SiGe,SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe和铁氧体材料等；

❆低阻抗材料：金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等；

❆高阻抗材料：半绝缘的GaAs,GaN, CdTe等。

❆可以进行霍尔效应、I-V特性、R-T特性和R-H特性的测量；

❆可得出参数：方块电阻、电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率、载流子浓度和导电类型；

❆可绘制曲线：I-V特性——不同磁场和不同温度下的I-V特性曲线；

                           R-T特性——固定磁场，电阻随着温度变化的特性曲线；

                           R-H特性——固定温度，电阻随着磁场变化的特性曲线。

❆标准系统使用插入式样品卡，样品安装方便；

❆标准配置一次可以同时测量2个样品，增加选件(增加一块矩阵卡)可同时测量4个样品；

❆电阻测量范围宽：0.1mΩ—100GΩ（高电压宽电阻系统）；

❆标准系统可以进行不同磁场和不同电流下的霍尔效应和电阻的测量；

❆测试和计算过程由软件自动执行，并能给出中间数据和曲线，节省了大量的时间；

❆系统提供长时间高稳定性的磁场，并且磁场能平滑过零；

❆电磁铁电源内置高精度高斯计，磁场控制速度快，时间短；

❆电磁铁电源为高精度双极性电源；

❆选择变温选件，可以进行不同温度下的霍尔效应和电阻的测量。